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RS1E130GNTB  与  BSC120N03LS G  区别

型号 RS1E130GNTB BSC120N03LS G
唯样编号 A33-RS1E130GNTB A-BSC120N03LS G
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 11.7mΩ@13A,10V 10mΩ
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 22.2W 28W
Qg-栅极电荷 - 15nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 25S
典型关闭延迟时间 - 12ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-HSOP -
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 13A 39A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS3
长度 - 5.9mm
下降时间 - 2.2ns
典型接通延迟时间 - 2.7ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 955 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
90+ :  ¥1.859
100+ :  ¥1.6578
500+ :  ¥1.6482
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS1E130GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-HSOP

¥1.859 

阶梯数 价格
90: ¥1.859
100: ¥1.6578
500: ¥1.6482
955 当前型号
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